Apresentação

O laboratório de Crescimento de Nanoestruturas Semicondutoras foi montado através do projeto de equipamentos multiusuário da FAPESP (EMU  2009/54033-1). Esta instalado nas dependências do Instituto de Física de São Carlos. Conta com um sistema de crescimento SVT (diagrama esquemático) com três câmara de ultra-alto vácuo e oito células. O sistema permite o crescimento de filmes e estruturas semicondutoras do grupo III-V: GaAs, InAs, AlAs e ligas de AlGaAs, InGaAs com possibilidade de dopagem tipo n e p, através da técnica de epitaxia por feixes moleculares. Tipos de estrtuturas: Poços Quânticos, Pontos Quânticos, Gas de elétrons em estruturas do tipo HEMT, dispositivos para diodos e lasers semicondutores.